Новый способ контроля скирмионов улучшит эффективность магнитной памяти

02.07.2020 104 0.0 0
Новый способ контроля скирмионов улучшит эффективность магнитной памяти
Возможность управлять скирмионами с помощью электрических полей, найденная группой исследователей из Университета Содружества Виргинии (штат Виргиния) и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе, знаменует существенный прогресс на пути к созданию более компактных и эффективных компонентов магнитной памяти для компьютеров и разнообразных беспроводных «умных» устройств.

В статье, вышедшей 29 июня в журнале Nature Electronics, рассказывается о манипуляциях с зафиксированными в пространстве скирмионами посредством перпендикулярной магнитной анизотропии, контролируемой импульсами электрического напряжения.

Авторы показали — экспериментально и путём микромагнитных симуляций — что такие скирмионы можно стабилизировать в гетероструктурных плёнках, образованных из слоёв антиферромагнетика, ферромагнетика и оксида, без приложения внешнего магнитного поля — за счёт полей обменной анизотропии.

Ранее, в 2016 и 2018 гг., учёные из Виргинии продемонстрировали, что использование промежуточного скирмионного состояния для обеспечения точных переходов между намагниченностью «вверх» и «вниз» способно уменьшить ошибки при записи информации в память, делая устройства более устойчивыми к дефектам материала и тепловому шуму. Они запатентовали эту идею, а концептуальный эксперимент, описываемый в Nature Electronics, стал первым шагом к её воплощению в практическом устройстве.



Комментарии (0)
avatar